新的双层晶体堆栈式cmos能否能大幅提升高感
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[1 楼] goldenseawind
[泡菜]
23-7-5 18:12
如果能的话，能提升到怎样的程度
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[14 楼] goldenseawind
[泡菜]
23-7-9 22:31
微博用户123 发表于 2023-07-06 11:18 你的意思是a93会用这个类型的cmos？ |
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[13 楼] cmbit
[泡菜]
23-7-9 12:59
微博用户123 发表于 2023-07-07 11:49 混淆概念，我说的fwc，满阱电荷，为什么exmor T不能在全幅上提高满阱容量？ |
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[12 楼] melfes
[泡菜]
23-7-7 19:41
人世浩渺 发表于 2023-07-07 14:19 BSI结构下FD不再占用PPD的感光面积 |
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[11 楼] microyao_s
[泡菜]
23-7-7 15:05
人世浩渺 发表于 2023-07-07 14:19 他说的是感光区域占整像素块的面积比例. |
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[10 楼] 人世浩渺
[泡菜]
23-7-7 14:19
微博用户123 发表于 2023-07-07 11:49 什么叫做"本身面积已经很大，再分离也基本没什么效果了？“那大家还把全画幅升级到中画幅干什么？再说全幅感光面积大，但上近亿的高像素，每个像素感光面截还是有限的，感光面积大了对于夜景拍摄集光能力更强，效果肯定是更好的，有更出色的夜景照片，这在双层晶体管的手机实测照片也看得出来。我估计全幅用上后，可以比得上同样像素的中画幅夜景效果。 |
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[9 楼] 微博用户123
[泡菜]
23-7-7 11:49
cmbit 发表于 2023-07-07 10:47 这种技术主要是把光电层进一步分离 全幅感光本身面积已经很大，再分离也基本没什么效果了 |
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[8 楼] cmbit
[泡菜]
23-7-7 10:47
微博用户123 发表于 2023-07-07 09:41 不太理解你什么意思，我没有讨论全幅，sony也没有出全幅， 但是，技术本身和靶面大小有直接关系吗？ ok你如何证明对全幅fwc无效 |
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[7 楼] 微博用户123
[泡菜]
23-7-7 09:41
cmbit 发表于 2023-07-06 17:45 全幅用这种方案基本增加不了FWC 只能证明索尼具备了开发高链接CMOS的能力 |
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[5 楼] cmbit
[泡菜]
23-7-6 17:45
直接影响是fwc翻倍，也就意味着动态范围会提高一档
本身不会改变噪声水平，但是由于信号饱和增加一倍，同等条件下信噪比得以提升，当然反过来还是保持相同信噪比的情况下，动态范围提高一档 一档体感可能并不是很突出，但是技术上确实差距很大；前提是同等条件，不影响QE，adc精度等情况下 |
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[4 楼] 微博用户123
[泡菜]
23-7-6 11:18
对全幅没有作用，但是很有意义，意味着索尼CMOS跨上一个新台阶
即将出现的A9-3会是一个具有超高速连拍能力的相机 |
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[3 楼] palmstyle
[泡菜]
23-7-5 22:37
根据厂家的宣传。双层堆叠式CMOS图像传感器在饱和信号性能方面，可以比以往的图像传感器提升一倍左右，从而获得更大的动态范围，这种传感器具有更宽的动态范围，在昏暗环境和严重的逆光环境中照片的曝光会更好，同时，在黑暗环境中拍摄的照片噪点会更低。
双层堆叠式CMOS会首先在手机cmos出货，相机最有可能会出现在A1 ii旗舰机型，那也是最早一两年后的事情了 palmstyle 编辑于 2023-07-05 22:38 |
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[2 楼] melfes
[泡菜]
23-7-5 21:29
不能，目前传感器的第二档感光度的噪音已经压制到物理极限了，想要进一步提高只能更大底
melfes 编辑于 2023-07-05 21:29 |