我电脑这个内存的数据是什么意思？

这是内存条的工作参数 超频的人会研究 我不玩超频 也没有深究过
放狗搜了点资料 供lz参考
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内存的CAS延迟时间和存取时间之间有着密切的联系。首先让我来解释一下什么是内存的CAS延迟时间。所谓CAS延迟时间，就是指内存纵向地址脉冲的反应时间。CAS延迟时间是衡量内存性能的又一个重要标准。在Intel公司的PC100内存技术※※※中指出：“符合PC100标准的内存芯片应该以CAS Latency（以下简称CL）＝2的情况稳定工作在100MHz的频率下。”CL=2所表示的意义是此时内存读取数据的延迟时间是两个时钟周期，当CL=3时，内存读取数据的延迟时间就应该是三个时钟周期，因此，这“2”与“3”之间的差别就不仅仅局限于“1”了，而是1个时钟周期。工作在相同频率下的同种内存，使将CL设置为2会得到比3更优秀的性能。为了使主板正确地为内存设定CAS延迟时间，内存生产厂商都将其内存在不同工作频率下所推荐的CAS延迟时间记录在了内存PCB（印刷电路板）板上的一块EEPROM上，这块芯片就是我们所说的SPD。当系统开机时，主板BIOS会自动检测SPD中的信息并最终确定是以CL=2还是CL=3来运行。

CAS

CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe或者Column Address Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间，通常为2、2.5、3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的，在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，首先被触发的是tRAS(Active to Precharge Delay)，数据被请求后需预先充电，一旦tRAS被激活后，RAS才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。因为CAS是寻址的最后一个步骤，所以在内存参数中它是最重要的。

tRAS

tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay，行有效至行预充电时间。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要，其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙，但也有相对空闲的时候，虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程(例如打开一个新的程序)，但发生的不多。

选购中要注意的三个重要参数

1、时钟频率：

  它代表了内存所能稳定运行的最大频率。现在我们在市场上看到的DDR内存主要是DDR333和DDR400。
2、存取时间：

  存取时间代表了读取数据所延迟的时间。以前人们有个误区，认为它和系统时钟频率有着某种联系，其实二者在本质上是有着显著的区别的，可以说完全是两回事。存取时间和时钟频率一样，越小则越优。

3、CAS的延迟时间：

  这是指纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。我们用CAS Latency(CL)这个指标来衡量。在这里需要友情提醒一下想在近期购买电脑的读者，Intel的处理器相对而言的对延迟时间不敏感，影响Intel处理器性能的主要是内存的时钟频率；而对AMD处理器而言，影响它的主要是CAS延迟时间，因此AMD平台的读者在这个参数上要多多注意。