[1 楼] urin1010
[泡菜]
17-3-19 11:45
很多人听信了网上的言论,认为富士X系列可交换相机的CMOS图像传感器-CIS是其他几个品牌同款产品,区别只是采用了富士独有的X-TRANS阵列滤光片,这是非常天真且幼稚的说法。要判断一款CIS是否很另一款CIS为同一款,并不是从大致规格(FF/APS-C/M43)和像素总量(有效像素总量)来判断的,而是起码要符合两个条件,相同的实际感光面积(传感器成像区域中的宽度和高度)和实际像素总量。这和半导体的基本结构及切片高度关联,哪怕尺寸上差1mm,像素总量在非次品的情况下差一个,都表示二者并不是同一块。 半导体,拿CIS来说,目前的生产工艺已经达到了nm纳米级,而1mm是什么概念,1000000nm,还会存在如此高的误差,像素大小是多少,一般是um微米为单位,换句话说也是1000nm,同样不会存在高误差,其实际公差只会在nm级,如果采用的是180nm制程(线宽),那么公差就是在180nm左右。以下就来看看,富士1630万像素和2430万像素的两款CIS的此方面具体参数。 X-PRO为代表的1630万像素组别,具体参数,23.6 x 15.6 mm成像区面积,4962 x 3286实际像素总量(光敏二极管的总量,大于有效像素总量),单位像素大小4.76um,像素密度4.42 MP/cm2。 X-PRO2为代表的2430万像素组别,具体参数,23.6 x 15.6 mm成像区面积,6058 x 4012实际像素总量,单位像素大小3.9um,像素密度6.59 MP/cm2。 那么在看看其他所谓同款其他品牌此方面尺寸 品牌 像素成像面积 mm 实际像素总量 单位像素大小 um 像素密度 MP/cm2 组别 万 SONY A6000 23.5 x 15.6 6058 x 4012 3.88 6.65 2400 SONY A6500 23.5 x 15.6 6045 x 4003 3.89 6.62 2400 PENTAX K3 23.5 x 15.6 6064 x 4016 3.88 6.66 2400 PENTAX KP 23.5 x 15.6 6060 x 4013 3.88 6.65 2400 NIKON D5200 23.5 x 15.6 6032 x 3995 3.9 6.59 2400 NIKON D7200 23.5 x 15.6 6045 x 4003 3.9 6.62 2400 FUJIFILM X-PRO2 23.6 x 15.6 6058 x 4012 3.9 6.59 2400
LIECA TL 23.6 x 15.7 4944 x 3296 4.77 4.39 1600 LIECA X-E 23.6 x 15.7 4929 x 3286 4.79 4.36 1600 FUJIFILM X-PRO 23.6 x 15.6 4962 x 3286 4.76 4.42 1600 可以明显看到,以上就是传言采用相同规格不同品牌对应的CIS,没有一个是完全吻合的。 另外还要注意结构区别,比如前照/背照/沉积,铜互联/铝互联等等。
|
[8 楼] t_dj
[陈年泡菜]
20-7-29 06:38
urin1010 发表于 2017-3-19 11:45  很多人听信了网上的言论,认为富士X系列可交换相机的CMOS图像传感器-CIS是其他几个品牌同款产品,区别只是采用了富士独有的X-TRANS阵列滤光片,这是非常天真且幼稚的说法。要判断一款CIS是否很另一款CIS为同一款,并不是从大致规格(FF/APS-C/M43)和像素总量(有效像素总量)来判断的,而是起码要符合两个条件,相同的实际感光面积(传感器成像区域中的宽度和高度)和实际像素总量。这和半导体的基本结构及切片高度关联,哪怕尺寸上差1mm,像素总量在非次品的情况下差一个,都表示二者并不是同一块。 半导体,拿CIS来说,目前的生产工艺已经达到了nm纳米级,而1mm是什么概念,1000000nm,还会存在如此高的误差,像素大小是多少,一般是um微米为单位,换句话说也是1000nm,同样不会存在高误差,其实际公差只会在nm级,如果采用的是180nm制程(线宽),那么公差就是在180nm左右。以下就来看看,富士1630万像素和2430万像素的两款CIS的此方面具体参数。 X-PRO为代表的1630万像素组别,具体参数,23.6 x 15.6 mm成像区面积,4962 x 3286实际像素总量(光敏二极管的总量,大于有效像素总量),单位像素大小4.76um,像素密度4.42 MP/cm2。 X-PRO2为代表的2430万像素组别,具体参数,23.6 x 15.6 mm成像区面 ... 请教楼主,富士GFX100用的是不是SONY的COMS。
|
[7 楼] nikoff
[泡菜]
17-3-19 15:40
可以,看来楼主是相关硬件内部人士。好干货,学习了。
|
[6 楼] 蛇发女妖兽
[泡菜]
17-3-19 15:39
雪丁哥 发表于 2017-3-19 12:00  两个问题:
1.某某底子贴上xtrans,胡诌八扯,完全是文科外行脑袋,不是一次性芯片加工岂可贴合?真是傻的可爱。
2.芯片谁做,除非厂家宣布,或者有拆机后芯片的直接证据图片,剩下的都是扯淡,拍着脑袋抠着臭脚丫子的低档造谣。 没人要的乡下傻狗,天天舔腚加意淫,幻想着能被富士主子收留。
|
[5 楼] urin1010
[泡菜]
17-3-19 14:46
solefp 发表于 2017-3-19 13:45  佳能的是500nm 索尼相机的工艺是180nm 莱卡的工艺是90nm 索尼给手机镜头供的cmos是45nm这种档次。
然后同样制程分干刻和湿刻
但是同样的180nm索尼可以做1600w,也可以做2400w,却决于市场和成品率。
再扯远一点,现在桌面cpu的制程是14nm,手机cpu的制程准备往9nm和10nm突破。 SSD上面用的内存工艺是20/25nm.
所以相机的cmos在工艺上还有很大的进步区间。
对于用户来说,管tm什么工艺,要的就是像素和高感、宽容度。 sony目前的cis还没有45nm制程,手机上的采用是60nm,目前采用45nm制程的是三星,松下tpsco,ov的代工安森美。
|
[4 楼] solefp
[泡菜]
17-3-19 13:45
佳能的是500nm 索尼相机的工艺是180nm 莱卡的工艺是90nm 索尼给手机镜头供的cmos是45nm这种档次。
然后同样制程分干刻和湿刻
但是同样的180nm索尼可以做1600w,也可以做2400w,却决于市场和成品率。
再扯远一点,现在桌面cpu的制程是14nm,手机cpu的制程准备往9nm和10nm突破。 SSD上面用的内存工艺是20/25nm.
所以相机的cmos在工艺上还有很大的进步区间。
对于用户来说,管tm什么工艺,要的就是像素和高感、宽容度。 本帖最后由 solefp 于 2017-3-19 13:50 编辑
|
[3 楼] huangshanmaofeng
[泡菜]
17-3-19 13:13
雪丁哥 发表于 2017-3-19 12:00  两个问题:
1.某某底子贴上xtrans,胡诌八扯,完全是文科外行脑袋,不是一次性芯片加工岂可贴合?真是傻的可爱。
2.芯片谁做,除非厂家宣布,或者有拆机后芯片的直接证据图片,剩下的都是扯淡,拍着脑袋抠着臭脚丫子的低档造谣。 
|
[2 楼] 雪丁哥
[泡菜]
17-3-19 12:00
两个问题:
1.某某底子贴上xtrans,胡诌八扯,完全是文科外行脑袋,不是一次性芯片加工岂可贴合?真是傻的可爱。
2.芯片谁做,除非厂家宣布,或者有拆机后芯片的直接证据图片,剩下的都是扯淡,拍着脑袋抠着臭脚丫子的低档造谣。
|