索尼研发全球首款双层晶体管像素堆叠式CMOS传感器

5336 110

[23 楼] 花冠摄影者 [泡菜] 21-12-17 10:53 semilin 发表于 2021-12-17 10:51 理论值而已，现在的传感器每个像素都已经背照+微透镜了，其实选通管和放大管对有效感光面积（填充率）的影响没有那么大，只不过是结构上堆叠了一下而已。同意你所言是理论层面的。
[22 楼] cmbit [泡菜] 21-12-17 10:53 qpcwth 发表于 2021-12-17 10:41 一知半解就出来“不乐观”，名词都张冠李戴了达到90%的QE叫“量子效率”，跟“满阱容量”完全是两回事 “阱容”简单说是跟光电二极管大小成正比的，现在堆叠式把原来mos管占的地方让给二极管了，这是100%到200%的提高，根本不是什么90%到95% 而且对动态范围和各个参数的关系也都也都理解也错了，几句话就没一句对的 “不乐观”是你的自由，出来胡说八道误导他人就是你的不对了 QE是为了打字方便,满阱更无需你科普,我想表达的是个例子 cmos核心的指标就是那几个,QE,满阱,读出噪声,adc速度后面我也强调了满阱翻倍对动态范围的影响,对提高像素而不损失单个像素性能的优势那么,对画质来说,现在需要的是信噪比,QE的提高可以改善灵敏度,而满阱提高更多采样深度 100%的阱容提升可以吧DR从15档提高到30档吗? 不能!只有16档,所以,从15到16就喜大普奔了? 胡说八道? 科普除了读自然科学,也要知道社会科学本帖最后由 cmbit 于 2021-12-17 10:58 编辑
[21 楼] semilin [资深泡菜] 21-12-17 10:51 理论值而已，现在的传感器每个像素都已经背照+微透镜了，其实选通管和放大管对有效感光面积（填充率）的影响没有那么大，只不过是结构上堆叠了一下而已。
[19 楼] cliffwang [注销用户] 21-12-17 10:46 用户已注销，历史内容不予显示
[18 楼] 花冠摄影者 [泡菜] 21-12-17 10:44 cliffwang 发表于 2021-12-17 10:41 三星2011年也早研究过，放弃了。索尼是干预砸钱投资的，CMOS能兴起来盖过CCD也是因为2007年索尼砸钱生产线高商业化的成功，创新技术方面索尼没太多自己的点子，几乎都是生产方面的
[17 楼] TakeThat05 [资深泡菜] 21-12-17 10:42 yanhe 发表于 2021-12-17 09:58 噪声降低一倍。。。不就是1-1=0了？这些文科记者写新闻稿都是经不起推敲的。应该是说降低一半。看起来是把一部分电路（pixel transistors)挪到下层了，单个像素的感光面积变成原来的2倍。跟之前背照cmos思路一样，进一步下移其他电路，变成3层的了
[16 楼] qpcwth [资深泡菜] 21-12-17 10:41 一知半解就出来“不乐观”，名词都张冠李戴了达到90%的QE叫“量子效率”，跟“满阱容量”完全是两回事 “阱容”简单说是跟光电二极管大小成正比的，现在堆叠式把原来mos管占的地方让给二极管了，这是100%到200%的提高，根本不是什么90%到95% 而且对动态范围和各个参数的关系也都也都理解也错了，几句话就没一句对的 “不乐观”是你的自由，出来胡说八道误导他人就是你的不对了 cmbit 发表于 2021-12-17 09:21 好事,但是不乐观粗看主要是降低了噪声,提高了满阱电荷但是目前的大法cmos,最大QE已经超过90%, 即便是性能翻倍,95%,在这个基础上确实是超级大的提升,不过也就如此了就好比动态范围从15档到了16档,好是好,也快到极限了这个技术最大的优势应该还是在同样尺寸的底上,做出翻倍的像素还可以保持单个像素的足够电子容量, 意味着手机这样的小底也可以做更高的像素同时保持良好的iso下噪声控制和动态范围最关键的是,纸面上到产品上还需要时间,也需要成本
[15 楼] cliffwang [注销用户] 21-12-17 10:41 用户已注销，历史内容不予显示
[14 楼] 花冠摄影者 [泡菜] 21-12-17 10:38 cliffwang 发表于 2021-12-17 10:33 索尼真正的点子就是背光式、堆栈式。双层是早先前（在荷兰，长光Gpixel前研发团队所在地）就有的思路，三星CMOS是靠更小级别的纳米生产工艺来提高像素层像素密度的
[13 楼] 花冠摄影者 [泡菜] 21-12-17 10:37 yanhe 发表于 2021-12-17 09:58 噪声降低一倍。。。不就是1-1=0了？讨论， 1、不是噪声降低一倍，是饱和信号电平的噪声降低一倍（学电子学的摄友能明白）。 2、物理、数学的降低一倍都不是简单的数学1-1的关系，2x2是扩大了1倍，4\2是减少了一倍，2/2还是减少了一倍，1/2仍然是减少了一倍，0.5/2.........最后也不会出现等于零的状态（分子无穷小也不存在归零，最多按照取舍近似归零）。
[12 楼] cliffwang [注销用户] 21-12-17 10:33 用户已注销，历史内容不予显示
[11 楼] 花冠摄影者 [泡菜] 21-12-17 10:29 w811880 发表于 2021-12-17 09:52
[10 楼] yanhe [资深泡菜] 21-12-17 09:58 噪声降低一倍。。。不就是1-1=0了？
[9 楼] w811880 [资深泡菜] 21-12-17 09:52 花冠摄影者发表于 2021-12-17 07:39 索尼研发全球首款双层晶体管像素堆叠式CMOS传感器（数码相机的新希望） 2021年12月16日索尼公告，宣布开发一种具有2层晶体管像素的新型图像传感器。索尼新闻稿: 索尼开发世界第一（注解1）堆叠式互补金属氧化物半导体图像传感器技术。具有两层晶体管像素。将动态范围扩大了一倍，并将噪声降低了一倍（注解2）饱和信号电平（注解3）。注解1、截至2021年12月16日公告。注解2、基于现有图像传感器和应用于索尼背照式CMOS图像传感器的新技术之间在一平方微米等效基础上的比较；截至2021年12月16日公告。注解3、单个像素的最大电子存储容量。不一定正确的感觉：或许现在的CCD、前照COMS、背照CMOS、背照堆栈CMOS都会在动态范围、饱和信号噪声方面相形见绌的成为垃圾CMOS。
[8 楼] 花冠摄影者 [泡菜] 21-12-17 09:39 cmbit 发表于 2021-12-17 09:34 我理解你说的意思,这个技术几乎可以肯定是更适用于手机尺寸,提高手机影像质量的需求更强烈而手机领域暂没厂商宣发类似"超感光cmos",特别是国产品牌,不合常理所以我认为只有protype,没有正式产品,而这个板块更关心的FF尺寸,那就更遥远了没有根本分歧，网络上的互动式交流也就这样，很多现在的数码相机CMOS技术运用是从手机上面首先使用，至于从手机到相机的时间则看厂家的战略规划、节奏。
[7 楼] cmbit [泡菜] 21-12-17 09:34 花冠摄影者发表于 2021-12-17 09:28 我理解这个发布内涵要点：已经不是纸面上的而是何时进入到小规模试产以及大规模生产的阶段，更需要时日延伸到更多尺寸的CMOS上面运用的问题。我理解你说的意思,这个技术几乎可以肯定是更适用于手机尺寸,提高手机影像质量的需求更强烈而手机领域暂没厂商宣发类似"超感光cmos",特别是国产品牌,不合常理所以我认为只有protype,没有正式产品,而这个板块更关心的FF尺寸,那就更遥远了
[6 楼] 花冠摄影者 [泡菜] 21-12-17 09:28 cmbit 发表于 2021-12-17 09:21 好事,但是不乐观粗看主要是降低了噪声,提高了满阱电荷但是目前的大法cmos,最大QE已经超过90%, 即便是性能翻倍,95%,在这个基础上确实是超级大的提升,不过也就如此了就好比动态范围从15档到了16档,好是好,也快到极限了这个技术最大的优势应该还是在同样尺寸的底上,做出翻倍的像素还可以保持单个像素的足够电子容量, 意味着手机这样的小底也可以做更高的像素同时保持良好的iso下噪声控制和动态范围最关键的是,纸面上到产品上还需要时间,也需要成本我理解这个发布内涵要点：已经不是专利类或者纸面上的计划，而是已经研发成，仅仅剩何时进入到小规模试产以及大规模生产的阶段，更需要时日延伸到更多尺寸的CMOS上面运用的问题。本帖最后由花冠摄影者于 2021-12-17 09:30 编辑
[5 楼] cmbit [泡菜] 21-12-17 09:21 好事,但是不乐观粗看主要是降低了噪声,提高了满阱电荷但是目前的大法cmos,最大QE已经超过90%, 即便是性能翻倍,95%,在这个基础上确实是超级大的提升,不过也就如此了就好比动态范围从15档到了16档,好是好,也快到极限了这个技术最大的优势应该还是在同样尺寸的底上,做出翻倍的像素还可以保持单个像素的足够电子容量, 意味着手机这样的小底也可以做更高的像素同时保持良好的iso下噪声控制和动态范围最关键的是,纸面上到产品上还需要时间,也需要成本
[4 楼] 花冠摄影者 [泡菜] 21-12-17 08:28 小猪跑发表于 2021-12-17 08:24 手机先用，再给黑卡，5年后能不能在微单上看到？
[3 楼] 小猪跑 [资深泡菜] 21-12-17 08:24 手机先用，再给黑卡，5年后能不能在微单上看到？本帖最后由小猪跑于 2021-12-17 08:24 编辑
[2 楼] 花冠摄影者 [泡菜] 21-12-17 07:54 花冠摄影者发表于 2021-12-17 07:39 索尼研发全球首款双层晶体管像素堆叠式CMOS传感器（数码相机的新希望） 2021年12月16日索尼公告，宣布开发一种具有2层晶体管像素的新型图像传感器。索尼新闻稿: 索尼开发世界第一（注解1）堆叠式互补金属氧化物半导体图像传感器技术。具有两层晶体管像素。将动态范围扩大了一倍，并将噪声降低了一倍（注解2）饱和信号电平（注解3）。注解1、截至2021年12月16日公告。注解2、基于现有图像传感器和应用于索尼背照式CMOS图像传感器的新技术之间在一平方微米等效基础上的比较；截至2021年12月16日公告。注解3、单个像素的最大电子存储容量。不一定正确的感觉：或许现在的CCD、前照COMS、背照CMOS、背照堆栈CMOS都会在动态范围、饱和信号噪声方面相形见绌的成为垃圾CMOS。不一定正确的感觉：或许现在的CCD、前照COMS、背照CMOS、背照堆栈CMOS都会在动态范围、饱和信号噪声方面相形见绌的成为垃圾CMOS。
[1 楼] 花冠摄影者 [泡菜] 21-12-17 07:39 索尼研发全球首款双层晶体管像素堆叠式CMOS传感器（数码相机的新希望） 2021年12月16日索尼公告，宣布开发一种具有2层晶体管像素的新型图像传感器。索尼新闻稿: 索尼开发世界第一（注解1）堆叠式互补金属氧化物半导体图像传感器技术。具有两层晶体管像素。将动态范围扩大了一倍，并将噪声降低了一倍（注解2）饱和信号电平（注解3）。注解1、截至2021年12月16日公告。注解2、基于现有图像传感器和应用于索尼背照式CMOS图像传感器的新技术之间在一平方微米等效基础上的比较；截至2021年12月16日公告。注解3、单个像素的最大电子存储容量。以下内容由花冠摄影者于 2021-12-17 07:54 补充不一定正确的感觉：或许现在的CCD、前照COMS、背照CMOS、背照堆栈CMOS都会在动态范围、饱和信号噪声方面相形见绌的成为垃圾CMOS。